• 消息稱三星電子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封裝工藝

    上一篇 / 下一篇  2024-03-13 10:19:53

      路透社表示,三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封裝工藝,而非此前堅持使用的非導電薄膜(NCF)技術。
      三位直接知情人士稱,三星已經發出了處理 MR-MUF 技術的設備采購訂單!叭潜仨毑扇∫恍┐胧﹣硖岣咂 HBM 良率…… 采用 MUF 技術對三星來說有點像是拋棄自尊心的決定,因為這相當于效仿了 SK 海力士的行為!
      有分析師表示,三星的 HBM3 芯片生產良率約為 10-20%,而 SK 海力士的 HBM3 生產良率約為 60-70%。隨著 AI 行業的火熱,業界對于 HBM3 和 HBM3E 需求越來越高,三星必須盡快做出改變。
      消息人士稱,三星還在與包括日本長瀨集團在內的材料供應商洽談采購 MUF 材料的事宜,但使用這一技術的高端芯片最早要到明年才能實現量產,因為三星還需要進行大量測試。IT之家注:長瀨產業株式會社是擁有近 200 年歷史的日本十大商社之一,是全世界最大的專業化工商社。
      三位消息人士還表示,三星計劃在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技術。
      三星回應稱,其內部開發的 NCF 技術是適用于 HBM 產品的“最佳解決方案”,并將用于其 HBM3E 芯片,后續“將按照計劃推進 HBM3E 產品業務”,而英偉達和長瀨拒絕置評。

    TAG: 三星 海力士

     

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